XDV-µ涂鍍層厚度測量儀是專為在極微小結構上進行高精度鍍層厚度測量和材料分析而設計的。該系列儀器均配備用于聚焦X射線束的多毛細管透鏡，光斑直徑（FWHM）可達10至60µm。短時間內就可形成高強度聚焦射線。除了通用型XDV-µ型儀器，還有專門為電子和半導體行業而設計的儀器。如XDV-µ LD是專為測量線路板而優化的，而XDV-µ

XDV-µ涂鍍層厚度測量儀

特點：

• Advanced polycapillary X-ray optics that focus the X-rays onto extremely small measurement surfaces
• *多毛細管透鏡，可將X射線聚集到極微小的測量面上
• 現代化的硅漂移探測器（SDD），確保*的檢測靈敏度
• 可用于自動化測量的超大可編程樣品平臺
• 為特殊應用而專門設計的儀器，包括：
  • XDV-μ LD，擁有較長的測量距離（至少12mm）
  • XDV-μLEAD FRAME，特別為測量引線框架鍍層如Au/Pd/Ni/CuFe等應用而優化
  • XDV-μ wafer,配備全自動晶圓承片臺系統

XDV-µ涂鍍層厚度測量儀應用：

鍍層厚度測量

• 測量未布元器件和已布元器件的印制線路板
• 在納米范圍內測量復雜鍍層系統，如引線框架上Au/Pd/Ni/CuFe的鍍層厚度
• 對大12英寸直徑的晶圓進行全自動的質量監控
• 在納米范圍內測量金屬化層（凸塊下金屬化層，UBM）
• 遵循標準 DIN EN ISO 3497 和 ASTM B568

材料分析

• 分析諸如Na等極輕元素
• 分析銅柱上的無鉛化焊帽
• 分析半導體行業中C4或更小的焊料凸塊以及微小的接觸面

• 鍍層厚度測量

• 測量未布元器件和已布元器件的印制線路板
• 在納米范圍內測量復雜鍍層系統，如引線框架上Au/Pd/Ni/CuFe的鍍層厚度
• 對大12英寸直徑的晶圓進行全自動的質量監控
• 在納米范圍內測量金屬化層（凸塊下金屬化層，UBM）
• 遵循標準 DIN EN ISO 3497 和 ASTM B568

• 材料分析

• 分析諸如Na等極輕元素
• 分析銅柱上的無鉛化焊帽
• 分析半導體行業中C4或更小的焊料凸塊以及微小的接觸面

• 鍍層厚度測量

• 測量未布元器件和已布元器件的印制線路板
• 在納米范圍內測量復雜鍍層系統，如引線框架上Au/Pd/Ni/CuFe的鍍層厚度
• 對大12英寸直徑的晶圓進行全自動的質量監控
• 在納米范圍內測量金屬化層（凸塊下金屬化層，UBM）
• 遵循標準 DIN EN ISO 3497 和 ASTM B568

• 材料分析

• 分析諸如Na等極輕元素
• 分析銅柱上的無鉛化焊帽
• 分析半導體行業中C4或更小的焊料凸塊以及微小的接觸面
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